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U盘厂家提示：DDR4领衔 2011下半年3大新技术展望 (图)
Intel和镁光研发的25nm工艺闪存已经开始投产，这一制程据称比竞争对手至少领先一年。现在很多企业为了提高自己的知名度，开始流行定做礼品U盘，深圳礼U盘定做的工厂有哪些呢？首先量产的25nm颗粒为8GB（64Gb）容量MLC NAND闪存，采用沉浸式光刻技术，核心面积167mm2。支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s，页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB，块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面，读写性能预计将有显著提升。
随着工艺的不断升级，SSD固态硬盘的成本大幅下调，之前用80GB的钱如今可以买到120GB的容量，性价比不断攀升，所以不少厂商纷纷跟进，推出25nm的固态硬盘。
如今市占率非常高的Intel X25-M固态硬盘已经悄然升级为全新25nm的320系列固态硬盘，用户喜欢称之为G3。目前该系列固态硬盘批量上市，其中40GB、80GB点名率最高，基本被用作系统盘使用。
芝奇迈入25nm NAND闪存时代的第一款新工艺固态硬盘叫“PHOENIX EVO”。芝奇PHOENIX EVO采用标准的2.5英寸规格，SATA 3Gbps接口，SandForce SF-1222主控制器，容量115GB(产品编号FM-25S2-115GBPE)，没有自带缓存，内建ECC/EDC错误校验功能，平均故障间隔时间100万小时以上，但写入循环次数没有公布。
BRKT-A(后文有详细说明)，2.5寸规格，重量80克，SATA 3Gbps接口，未格式化容量80GB、115GB，均采用25nm MLC NAND闪存芯片，没有DRAM缓存，控制器采用SandForce SF-1200。
性能方面，ATTO Disk Benchmark测试持续读取速度280MB/s、持续写入速度270MB/s、4K Aligned随机写入性能50000 IOPS，空闲/待机/休眠功耗最高0.5W，读写功耗最高2.0W，抗冲击能力1500G，平均故障时间100万小时，支持S.M.A.R.T.。
总结
以上就是为大家带来2011下半年的新品展望，其中希捷单碟1TB硬盘似乎离普通用户最近，随着硬盘单碟容量的不断提升，内部传输速度也在攀升，预计读写速度会达到150MB/S左右。
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