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行业重要消息：IBM内存技术获重大突破 比闪存速度提高百倍（多图）
IBM于周四(6月30日)宣布在计算机内存技术方面取得一项技术突破。这项技术开发出的固态芯片能够存储与NAND闪存技术一样多的数据。但是，性能将提高100倍并且使用寿命更长。
目前，固态硬盘等NAND闪存产品的写入速度最高可达每秒2GB。
IBM的相变内存芯片使用宽度为90纳米的电路。同NAND闪存一样，PCM也是非易失的芯片。这就意味着在关闭电源之后，这种芯片仍然能够保留数据。
IBM称，它已经生产出相变内存(PCM)芯片，每个单元可存储2个字节数据，没有数据损坏问题。数据损坏是PCM芯片开发从一开始就遇到的问题。
IBM称，PCM内存的檫写周期最多可达500万次。在苏黎世的IBM研究所的通信经理Christopher Sciacca称，如果你能够向闪存芯片写入3000次，那将超过大多数手机和MP3播放机的使用寿命。但是，这对于用一个小时进行这种操作的企业来说肯定是不够的。
IBM研究所内存与探索技术主管Haris Pozidis称，随着机构和消费者越来越多地使用云计算模式和服务，需要更强大、更有效率和价格适中的存储技术。在过去的五个月里，IBM科学家一直在测试每个单元能够存储2个和3个字节数据的多层单元(MLC)芯片。这意味着这种芯片已经达到可以实际应用的可靠性水平。
除了在企业和云中应用之外，PCM内存还将用于DRAM内存的扩展。
与NAND闪存不同的是，PCM内存在新的数据写入之前不需要把现有的数据标记为删除。这个过程称作檫写周期。檫写周期减慢了NAND闪存的性能，并且随着时间的推移使NAND闪存损坏，使NAND闪存在消费者产品中的使用寿命为5000至10000次檫写周期，在企业级产品中的使用寿命为10万次檫写周期。
Pozidis称，另一种应用情况是，处理器能够直接与PCM内存芯片通讯，但是，处理器以为它是在与使用控制器的DRAM内存通讯。再说一次，热门数据与DRAM内存通讯，不热门的数据与PCM内存通讯。
作为一个新技术，PCM内存目前将用于替代美光科技、三星和海力士半导体等公司目前生产的NOR、EEPROM和NVRAM等芯片。
目前的技术是单层单元(SLC)PCM芯片，每个单元仅存储1个字节数据，存储容量有限。例如，三星为其GT-E2550 GSM手机生产的512MB PCM芯片。美光科技Numonyx部门生产一种128MB的PCM芯片并且向一些客户提供这种产品。客户将在网络设备、医疗监视设备和安全摄像头中使用这种芯片。
Pozidis称，DRAM内存将继续用作处理器的最接近的内存设备以处理最活跃的数据，而PCM内存可以用于不经常访问的数据。PCM内存有更大的存储容量，可以作为存储库。如果这个数据变成热门数据，PCM内存可以把这个数据重新放到DRAM内存中。
IBM科学家称，他们在对PCM芯片进行测试的过程中，最糟糕的延迟情况是大约10微秒，比现在市场上最高级的闪存技术性能高100倍。
Pozidis称，IBM不打算生产消费者级的PCM内存芯片产品。这个技术的主要目标是向东芝和三星等内存厂商出售许可证，帮助这些厂商加快生产用于企业的内存芯片.
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